每一种资料对科学贡献和工业出产起到推动的作用，氮化镓资料在它的发现和利用对当下科技进取和工业出产有极度沉要的意思。无论是半导体资料，合金资料，溅射靶材，以及贵金属资料对二十一世纪的工业发展有着沉要的推作为用。

aN资料是1928年由Johason等人合成的一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体资料，在大气压力下，GaN晶体通常呈六方纤锌矿结构，它在一个元胞中有4个原子，原子体积约莫为GaAs的1/2；其化学性质不变，常温下不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以非；郝乃俣热芑；在HCl或H2下高温中出现不不变个性，而在N2下最为不变。GaN资料拥有优良的电学个性，宽带隙(3.39eV)、高击穿电压(3×106V/cm)、高电子迁徙率(室温1000cm2/V·s)、高异质结面电荷密度(1×1013cm-2)等，因而被以为是钻研短波长光电子器件以及高温高频大功率器件的最优选资料，相对于硅、砷化镓、锗甚至碳化硅器件，GaN器件能够在更高频率、更高功率、更高温度的情况下工作。另表，氮化镓器件能够在1~110GHz领域的高频波段利用，这覆盖了移动通讯、无线网络、点到点和点到多点微波通讯、雷达利用等波段。

近年来，以GaN为代表的Ⅲ族氮化物因在光电子领域和微波器件方面的利用远景而受到宽泛的关注。作为一种拥有怪异光电属性的半导体资料，GaN的利用能够分为两个部门：凭借GaN半导体资料在高温高频、大功率工作前提下的杰出机能可取代部门硅和其它化合物半导体资料；凭借GaN半导体资料宽禁带、引发蓝光的独个性质开发新的光电利用产品。目前GaN光电器件和电子器件在光学存储、激光打印、高亮度LED以及无线基站蹬爪用领域拥有显著的竞争优势，其中高亮度LED、蓝光激光器和功率晶体管是当前器件造作领域最为感兴致和关注的。

国表在氮化镓体单晶资料钻研方面起步较早，此刻美国、日本和欧洲在氮化镓体单晶资料钻研方面都获得了肯定的成就，都出现了能够出产氮化镓体单晶资料的公司，其中以美国、日本的钻研水平最高。

美国有好多大学、钻研机构和公司都发展了氮化镓体单晶造备技术的钻研，一向处于当先职位，先后有TDI、Kyma、ATMI、Cree、CPI等公司成功出产出氮化镓单晶衬底。Kyma公司此刻已经能够销售1英寸、2英寸、3英寸氮化镓单晶衬底，且已研造出4英寸氮化镓单晶衬底。

日本在氮化镓衬底方面钻研水平也很高，其中住友电工(SEI)和日立电线(HitachiCable)已经起头批量出产氮化镓衬底，日亚(Nichia)、Matsushita、索尼(Sony)、东芝(Toshiba)等也发展了有关钻研。日立电线的氮化镓衬底，直径达2英寸，衬底上位错密度都达到1×106cm-2水平。

欧洲氮化镓体单晶的钻研重要有波兰的Top-GaN和法国的Lumilog两家公司。TopGaN出产GaN资料选取HVPE工艺，位错密度1×107cm-2，厚度0.1～2mm，面积大于400mm2。综上，国表的氮化镓体单晶衬底钻研已经获得了很猛进展，部门公司已经实现了氮化镓体单晶衬底的商品化，技术趋于成熟，下一步的发展方向是大尺寸、高齐全性、低缺点密度、自支持衬底资料。

氮化镓资料有自己的利益和弊端，在技术日益成熟的情况下，氮化镓资料将会阐扬更沉要的作用！