碳化硅单晶资料是第三代宽带隙半导体资料的代表
，碳化硅（SiC）单晶资料拥有禁带宽度大、热导率高、电子鼓和迁徙速度高和击穿电场高档性质。SiC器件在高温、高压、高频、大功率电子器件领域和航天、军工、核能等极端环境利用领域有着不成代替的优势
，添补了传统半导体资料器件在现实利用中的缺点
，正逐步成为功率半导体的主流。

在宽禁带半导体资料领域就技术成熟度而言
，碳化硅是这族资猜中最高的
，是宽禁带半导体的主题。SiC资料是IV-IV族半导体化合物
，拥有宽禁带(Eg：3.2eV)、高击穿电场(4×106V/cm)、高热导率(4.9W/cm.k)等特点。从结构上讲
，SiC资料属硅碳原子对密排结构
，既能够当作硅原子密排
，碳原子占其四面体空位；又可当作碳原子密排
，硅占碳的四面体空位。对于碳化硅密排结构
，由单向密排方式的分歧产生各类分歧的晶型,业已发现约200种。目前最常见利用最宽泛的是4H和6H晶型。4H-SiC出格合用于微电子领域
，用于造备高频、高温、大功率器件；6H-SiC出格合用于光电子领域
，实现全彩显示。

随着SiC技术的发展
，其电子器件和电路将为系统解决上述挑战奠定坚实基础。因而SiC资料的发展将直接影响宽禁带技术的发展。SiC器件和电路拥有超强的机能和辽阔的利用远景
，因而一向受业界高度器沉
，根基形成了美国、欧洲、日本鼎足之势的局面。目前
，国际上实现碳化硅单晶抛光片商品化的公司重要有美国的Cree公司、Bandgap公司、DowDcorning公司、II-VI公司、Instrinsic公司；日本的Nippon公司、Sixon公司；芬兰的Okmetic公司；德国的SiCrystal公司
，等。其中Cree公司和SiCrystal公司的市场占有率超过85%。在所有的碳化硅造备厂商中以美国Cree公司最强
，其碳化硅单晶资料的技术水平可代表了国际水平
，专家预测在将来的几年里Cree公司还将在碳化硅衬底市场上独占鳌头。

碳化硅单晶资料的技术发展集中在蓬勃国度领域
，目前发展中国度在半导体资料
，精密合金
，溅射靶材
，金属合金资料等方面都落后于蓬勃国度
，发展中国度只能依附高价进口这些合金资料和半导体资料
，这对于一个国度工业安全有极度大的影响
，高科技企业的发展和基础幽微
，影响综合实力的发展；