溅射靶材的靶极依照成分分歧可分为金属靶极（纯金属铝、钛、铜、钽等）、合金靶极（镍铬合金、镍钴合金等）和陶瓷化合物靶极（氧化物、硅化物、碳化物、硫化物等），半导体晶圆造作中200nm（8寸）及以下晶圆造作通常以铝造程为主，使用的靶材以铝、钛元素为主。其中高纯铝的导电性比铜和硅差一些，但铜存在与硅接触电阻率高，并且扩散进入器件引起器件机能差。铝的电阻率达到2.7μΩcm，对起初作为反对层的二氧化硅有足够低的电阻率，靶极原料可被提纯到5~6个“9”的纯度。

在半导体硅表秒起初通过氧化过程天生SiO2作为反对层，降低硅表表与上层之间的阻抗，阻止铝和硅之间形成合金，在铝与第二层铝之间蒸镀一层绝缘（IMD）作为介电层，介电层资料通常选用氧化物、氮化硅或聚酰亚胺，IMD层通过光刻技术形成新的衔接孔（via）或塞(plug)，沉复IMD/塞/金属沉积或光刻图形化工艺的沉复最终形成多层系统。200nm造程中反对层金属通常使用钛钨（TiW）、氮化钛（TiN），TiN层能够通过溅射形成，也能够溅射Ti后再N2或NH3的空气下，通过600℃形成热氮化层，在TiN层下溅射一层Ti,提高与硅衬底建导电率。

300nm（12寸）晶圆造作，多使用先进的铜互连技术，重要使用铜、钽靶材。为了确保多多藐幼布线的质量，必须提高镀铜薄膜均匀性。以前99.995%（4N5）的靶材纯度能够满足0.35μmIC的工艺要求，此刻99.9999%(6N)的靶材纯度能力满足造备0.18μm线条的工艺要求。在20世纪90年代IBM公司引入铜基大马士革工艺，从而实现取代铝的金属化并利用在300nm晶圆造作中。原因是铝电阻率高于铜，信号速度必要提升，导电性铝不及，同时12英寸大硅片的造作必要更长和更细的金属线，同时via数量增长导致电阻进一步加大，因而金属层转向电阻率仅为1.7μΩcm的铜，同时在金属与金属之间选取低k值得到IMD从而实现提高机能和削减要求的金属层数。300nm造程中通常使用钽（Ta）、TiN和氮化钽（TaN）。溅射中可直接利用金属靶极或在Ta表表通过高温N2或NH3前提下天生。

难熔金属中钨（W）和钼（Mo）由于提供了低的接触电阻在大规模和超大规模集成电路要求中的接触孔和更大的门阵列芯片的表表接触面积占比成为可能，同时W拥有高熔点、高导电性、高抗电移性、逸出功靠近于硅的频带隙和优良的热不变性等特点，Mo拥有高熔点、高电导率、较低的比阻抗、较好的耐侵蚀性和优良的环保机能等特点，因而W和Mo逐步被利用于VLSI和ULSI的代替铜、铝的导电层中。