
| 资料 | 铟 |
| 化学成分 | In |
| 原子量 | 114.818 |
| 原子序数 | 49 |
| 纯度 | 3N5-5N |
| 色彩/表观 | 灰色/金属 |
| 导热性 | 82 W/m.K |
| 熔点 (°C) | 157 |
| 热膨胀序数 | 32.1 x 10-6/K |
| 理论密度 (g/cc) | 7.3 |
| Z 比率 | 0.841 |
| 溅射 | 直流 |
| 最大功率密度* (瓦/平方英寸 ) | 15 |
| 背板衔接 | 铟 |
溅射是薄膜沉积的造作过程,是半导体,磁盘驱动器,光盘和光学器件行业的主题。
对于电子层面, 溅射是指由高能粒子冲击靶材而将原子从靶材或源资料上喷射出来,沉积在基板(如硅晶片、太阳能电池板或光学器件)的过程。溅射过程起头前,将要镀膜的基板搁置在含有惰性气体(通常是氩气)的真空室中,在靶源上施加负电荷,而后靶源沉积到基板,引起等离子体发光。
溅射率因冲击粒子的能量、入射角度、粒子和靶原子的相对证量、靶原子的表表结合能的分歧而变动。物理气体沉积的几种分歧步骤被宽泛的利用于溅射镀膜机,蕴含离子束、离子辅助溅射、氧气环境下反映溅射、气流和磁电管溅射。
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